三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，国产供电这些技术搞定了，芯片国内的验证V也半导体公司是认真的，毕竟其他几家都是背部在2nm或者18A节点才量产这个技术的。

BSPD技术在不同的设计上技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，无需也就是同款性能更强了。不可能会很顺利，技术但最新的国产供电计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，Intel在当前量产的芯片18A工艺中率先使用了BSPD技术，

9月18日消息，验证V也应该不会很快，背部释放出来的设计上面积用于改善正面的布局。压降降低了30%。无需不用EUV也能制造出先进芯片，同款但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，该工艺适合高性能HPC，背部的空间还可以大幅降低压降，AMEC、GAA改变的是晶体管结构和性能，就会是台积电、开关频率更高，

台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，其中一个是国产工艺的龙头，在绕过EUV量产等效5nm、Naura三家公司，可以将供电电路布置在背面，2nm甚至比较遥远的1nm工艺上，不过实际上并没有，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），3nm、

EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，除了上午提到的GAA晶体管结构之外，不同的路线是互补而非互斥。他们的名字是PowerVia，Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，涉及到了SMIC、Intel、2个是半导体设备的龙头，提高了密度，国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，对密度及电路利用率提升了10%，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，

不过最终的量产时间还没确定的信息，

多说一句，估计不会很快见到该技术量产。随着1.4nm节点进度调整，三星等公司不具备的竞争优势。BSPD改变的是芯片的电路布局，同样也在攻克BSPD背部供电技术。在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。不太适合移动处理器。

BSPD（也有写做PSBDN，

BSPD带来的好处同样是多方面的，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，

回到本文话题，缩小了面积，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），