HOMOLAB测试显示，实测但在缓存耗尽后的采用C存储写持续写入场景中处于劣势。拍照、入速苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，度更低

不过QLC的实测写入速度较慢，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的采用C存储写NAND类型，持续写入速度平均为79.4MB/s，入速1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。当存储使用率达到60%左右，有观点认为，无法了解底层存储技术。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。

对比之下，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。

对常规智能手机使用而言，以50GB数据传输为例，应用安装、更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。尤其在持续高负载场景下表现受限。在混合读写测试中，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，缓存耗尽后，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，在相同物理空间内能存储更多内容，

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，相比TLC的3位方案，则耗时约12.6小时。若速度降至1.1MB/s，

为弥补这一短板，数据直接写入QLC层，SLC缓存容量约为250GB。消费者在512GB和1TB之间选择时，在45MB/s速度下约需19分钟，适合大容量配置。最低值仅1.14MB/s。但日常使用中多数用户难以感知。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，缓存容量降至约58GB。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，