混合键合技术在下一代HBM上的力士全面应用可能比预期进一步延迟。两家公司正重新评估采用混合键合的急刹时机，不过混合键合的用不也悬研发并未停滞。

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的混合键合凉K海铜线，

散热问题也有了更简单的力士替代方案。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，急刹但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是用不也悬发展方向。

16层以上高堆叠产品的混合键合凉K海需求并不紧迫，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的力士挑战。

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，急刹称可较现有产品降低超过30%热阻。用不也悬三星开发了HPB热通道模块，混合键合凉K海将电绝缘、力士JEDEC正在讨论将HBM5的急刹厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。HBM4已放宽至775微米。短期内混合键合不会大规模部署，

7月6日消息，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。

SK海力士则推出iHBM技术，即使到HBM4E阶段，有助于减小HBM厚度并改善散热。

业内判断，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。据报道，无需使用凸点，可从堆叠内部带走热量。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。厚度标准松动后，

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。

而HBM3E标准厚度为720微米，然而，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，行业分析师指出，